目前NAND Flash封裝方式大多採取TSOP、FBGA與LGA等方式，由於受到目前市場上，電子產品轉向輕薄短小的趨勢影響，因而縮小體積與低成本的封裝方式成為NAND Flash封裝發展的主流趨勢。
| TSOP (Thin smaller outline package)封裝技術 |  |
為目前最廣泛 使用於NAND Flash的封裝技術，首先在晶片的周圍做出引腳，採用SMT技術(表面安裝技術)直接附著在PCB板的表面。TSOP封裝時，寄生參數減小，因而適合高 頻的相關應用，操作方便，可靠性與成品率高，同時具有價格便宜等優點，因此於目前得到了極為廣泛的應用。
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FBGA
(Ball Grid Array，也稱為錫球陣列封裝或錫腳封裝體)
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| 主要應用於電腦的記憶體、主機板晶片組等大型積體電路的封裝領域。FBGA封裝技術的特點在於雖然導線數增多，但導線間距並不小，因而提升了組裝良率，雖然功率增加，但FBGA能夠大幅改善電熱性能，使重量減少，信號傳輸順利，提升了可靠性。 | |
LGA
(land grid array)觸點陳列封裝
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| 亦即在底面製作有陣 列狀態坦電極觸點的封裝，裝配時插入插座即可，現有227觸點(1.27mm中心距)和44觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，應用於高速邏輯 LSI電路，由於引線的阻電抗小，對高速LSI相當適用的，但由於插座製作複雜，成本較高，普及率較低，但未來需求可望逐漸增加。 | |
採用FBGA新技術封裝的記憶體，可以使所有電腦中的記憶體在體積不變的情況下容量提升數倍，與TSOP相比，具有更小的體積與更好的散熱性能，FBGA封裝技術使每平方英寸的儲存量有很大的提升，體積卻只有TSOP封裝的三分之一，與傳統TSOP封裝模式相比，FBGA封裝方式有加快傳送速率並提供有效的散熱途徑，FBGA封裝除了具備極佳的電氣性能與散熱效果外，也提供記憶體極佳的穩定性與更多未來應用的擴充性。
目前NAND Flash一般封裝大多採用TSOP、FBGA與LGA的方式，而記憶卡則多採用COB方式進行封裝，手機應用領域則多用MCP的封裝形式，隨著市場產品的需求及變化，未來WLP與3D TSV的封裝方式也將逐漸為業界廣為應用。
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